MUR40060CTR

GeneSiC Semiconductor

MUR40060CTR

アナログ・電源

DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWER

量産中Twin Towerアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

ベース品番MUR40060
Diode Configuration1 Pair Common Anode
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプChassis Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)180 ns
技術Standard

電気特性

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 125 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)200A
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 50 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTwin Tower
サプライヤーデバイスパッケージTwin Tower

環境条件

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C