MUR20040CT

GeneSiC Semiconductor

MUR20040CT

アナログ・電源

DIODE MODULE GP 400V 100A 2TOWER

量産中Twin Towerアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

ベース品番MUR20040
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプChassis Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)90 ns
技術Standard

電気特性

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 50 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)100A
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 50 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTwin Tower
サプライヤーデバイスパッケージTwin Tower

環境条件

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C