MSRTA60080A

GeneSiC Semiconductor

MSRTA60080A

アナログ・電源

DIODE MODULE GP 800V 600A 3TOWER

量産中Three Towerアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

ベース品番MSRTA60080
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプChassis Mount
Product StatusActive
技術Standard

電気特性

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 600 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)600A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 600 V
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseThree Tower
サプライヤーデバイスパッケージThree Tower

環境条件

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C