MSRT200140D

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140D

アナログ・電源

DIODE MODULE GP 1.4KV 3TOWER

量産中Three Towerアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

ベース品番MSRT200
Diode Configuration1 Pair Series Connection
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプChassis Mount
Product StatusActive
技術Standard

電気特性

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 200 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)200A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1400 V
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseThree Tower
サプライヤーデバイスパッケージThree Tower

環境条件

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C