一般
| ベース品番 | MBR60045 |
|---|---|
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| 技術 | Schottky |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 45 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 300 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 mA @ 45 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
機械特性
| Package / Case | Twin Tower |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | Twin Tower |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|