一般
| ベース品番 | MBR600100 |
|---|---|
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| 技術 | Schottky |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 300 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 mA @ 20 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Twin Tower |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Twin Tower |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|