一般
| ベース品番 | MBR2X080 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| 技術 | Schottky |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 80 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 80A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3 mA @ 200 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-227 |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|