一般
| ベース品番 | GD60 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 4577pF @ 1V, 1MHz |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 60 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 122A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 1700 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-2 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-2 |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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