一般
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Tube |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
機械特性
| Package / Case | TO-220-2 |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220-2 |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
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