一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7209 pF @ 800 V |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Tube |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| 最大消費電力 | 583W (Tc) |
機械特性
| Package / Case | TO-247-3 |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247AB |
環境条件
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
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