一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
|---|---|
| ベース品番 | GA50JT06 |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| 最大消費電力 | 769W (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-258-3, TO-258AA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-258 |
環境条件
| 動作温度 | -55°C~225°C(TJ) |
|---|