一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 10A |
|---|---|
| ベース品番 | GA10JT12 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1403 pF @ 800 V |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| 最大消費電力 | 170W (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Tube |
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環境条件
| 動作温度 | 175°C(TJ) |
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