一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 6A |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
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| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) (90°C) |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247AB |
環境条件
| 動作温度 | 175°C(TJ) |
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