一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4A |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 1700 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) (95°C) |
| 最大消費電力 | 106W (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247AB |
環境条件
| 動作温度 | 175°C(TJ) |
|---|