一般
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | G3R™ |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 750 V |
|---|
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263-7 |
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | G3R™ |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
| ドレイン-ソース間電圧 | 750 V |
|---|
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263-7 |