G3R45MT17D

GeneSiC Semiconductor

G3R45MT17D

データシート

アナログ・電源

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 40A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4523 pF @ 1000 V
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズG3R™
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 8mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C61A (Tc)
最大消費電力438W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-247-3

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)