G3R30MT12J

GeneSiC Semiconductor

G3R30MT12J

データシート

アナログ・電源

SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7

量産中TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 50A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3901 pF @ 800 V
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズG3R™
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2.69V @ 12mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C96A (Tc)
最大消費電力459W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
サプライヤーデバイスパッケージTO-263-7

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)