G3R20MT12N

GeneSiC Semiconductor

G3R20MT12N

データシート

アナログ・電源

SIC MOSFET N-CH 105A SOT227

量産中SOT-227-4, miniBLOCアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 60A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5873 pF @ 800 V
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプChassis Mount
Product StatusActive
シリーズG3R™
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+20V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.69V @ 15mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C105A (Tc)
最大消費電力365W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージSOT-227

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)