G3R160MT12J

GeneSiC Semiconductor

G3R160MT12J

データシート

アナログ・電源

SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7

量産中TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs208mOhm @ 10A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds724 pF @ 800 V
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズG3R™
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+20V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 5mA (Typ)

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Tc)
最大消費電力128W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
サプライヤーデバイスパッケージTO-263-7

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)