G3R12MT12K

GeneSiC Semiconductor

G3R12MT12K

データシート

アナログ・電源

1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE

量産中TO-247-4アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 100A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs288 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9335 pF @ 800 V
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 50mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C157A (Tc)
最大消費電力567W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージTO-247-4

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)