G2R50MT33K

GeneSiC Semiconductor

G2R50MT33K

データシート

アナログ・電源

3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET

量産中TO-247-4アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 40A, 20V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs340 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7301 pF @ 1000 V
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズG2R™
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 10mA (Typ)

電気特性

ドレイン-ソース間電圧3300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C63A (Tc)
最大消費電力536W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージTO-247-4

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)