G2R120MT33J

GeneSiC Semiconductor

G2R120MT33J

データシート

アナログ・電源

SIC MOSFET N-CH TO263-7

量産中TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs156mOhm @ 20A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3706 pF @ 1000 V
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズG2R™
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+25V, -10V

電気特性

ドレイン-ソース間電圧3300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
サプライヤーデバイスパッケージTO-263-7

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)