G2R1000MT17J

GeneSiC Semiconductor

G2R1000MT17J

データシート

アナログ・電源

SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

量産中TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2A, 20V
ベース品番G2R1000
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds139 pF @ 1000 V
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズG2R™
技術SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+20V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
最大消費電力54W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
サプライヤーデバイスパッケージTO-263-7

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)