G2R1000MT17D

GeneSiC Semiconductor

G2R1000MT17D

データシート

アナログ・電源

SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds111 pF @ 1000 V
メーカーGeneSiC Semiconductor
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズG2R™
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 500µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
最大消費電力44W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-247-3

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)