GPIHV30DFN

GaNPower

GPIHV30DFN

データシート

アナログ・電源

GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8

量産中Dieアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.25 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds236 pF @ 400 V
メーカーGaNPower
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 3.5mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseDie
サプライヤーデバイスパッケージDie

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)