NDB6030L

Fairchild Semiconductor

NDB6030L

アナログ・電源

N-CHANNEL POWER MOSFET

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 26A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 15 V
メーカーFairchild Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C52A (Tc)
最大消費電力75W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージTO-263AB

環境条件

動作温度-65°C~175°C(TJ)