一般
| メーカー | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| Transistor Type | NPN |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 650MHz |
環境条件
| 動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
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