IRFW730BTM

Fairchild Semiconductor

IRFW730BTM

アナログ・電源

N-CHANNEL POWER MOSFET

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 2.75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 25 V
メーカーFairchild Semiconductor
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Tc)
最大消費電力3.13W (Ta), 73W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージD2PAK

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)