HUF75925P3

Fairchild Semiconductor

HUF75925P3

アナログ・電源

N-CHANNEL POWER MOSFET

量産中TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs275mOhm @ 11A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1030 pF @ 25 V
メーカーFairchild Semiconductor
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズUltraFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
最大消費電力100W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220-3

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)