一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 1A, 5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.15 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 115 pF @ 30 V |
| メーカー | EPC |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | eGaN® |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 800µA |
