一般
| Capacitance @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| メーカー | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 技術 | Standard |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Capacitance @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| メーカー | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 技術 | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920 mV @ 1.5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| パッケージ | Bag |
|---|---|
| Package / Case | D-2, Axial |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D2 |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
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