DI4A7P06SQ2

Diotec Semiconductor

DI4A7P06SQ2

データシート

アナログ・電源

MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 5A, 10V
構成2 P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds525pF @ 30V
メーカーDiotec Semiconductor
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Ta)
Power - Max3W (Ta)

機械特性

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SO

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101