DMT6011LPDW-13

Diodes Incorporated

DMT6011LPDW-13

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 60V 10.3A POWERDI50

量産中8-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 10A, 10V
ベース品番DMT6011
構成2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1072pF @ 30V
メーカーDiodes Incorporated
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.3A (Ta), 40A (Tc)
Power - Max2.5W (Ta), 37.9W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージPowerDI5060-8 (Type UXD)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)