DMT35M4LFDF-13

Diodes Incorporated

DMT35M4LFDF-13

データシート

アナログ・電源

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020

量産中6-UDFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1009 pF @ 15 V
メーカーDiodes Incorporated
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
最大消費電力860mW (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージU-DFN2020-6 (Type F)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)