DMT3009UFVW-7

Diodes Incorporated

DMT3009UFVW-7

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI

量産中8-PowerVDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 11A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds894 pF @ 15 V
メーカーDiodes Incorporated
実装タイプSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.6A (Ta), 30A
最大消費電力1.2W (Ta), 2.6W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージPowerDI3333-8 (SWP) Type UX

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)