DMT3009LDT-7

Diodes Incorporated

DMT3009LDT-7

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN

量産中8-VDFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 14.4A, 10V
ベース品番DMT3009
構成2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 15V
メーカーDiodes Incorporated
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A
Power - Max1.2W

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージV-DFN3030-8 (Type K)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)