DMT12H090LFDF4-7

Diodes Incorporated

DMT12H090LFDF4-7

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN

量産中6-PowerXDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds251 pF @ 50 V
メーカーDiodes Incorporated
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧115 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A (Ta)
最大消費電力900mW (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerXDFN
サプライヤーデバイスパッケージX2-DFN2020-6

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)