DMT10H010LSSQ-13

Diodes Incorporated

DMT10H010LSSQ-13

データシート

アナログ・電源

MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4166 pF @ 50 V
メーカーDiodes Incorporated
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
最大消費電力1.9W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101