DMT10H009LK3-13

Diodes Incorporated

DMT10H009LK3-13

データシート

アナログ・電源

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R

量産中TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2309 pF @ 50 V
メーカーDiodes Incorporated
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
最大消費電力1.7W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージTO-252, (D-Pak)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)