一般
| ベース品番 | 2DB1182 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 3V |
| Power - Max | 10 W |
| Frequency - Transition | 110MHz |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252-3 |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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