S26KS512SDGBHI030

Cypress Semiconductor Corp

S26KS512SDGBHI030

メモリ・ストレージ

S26KS512S - PARALLEL NOR HYPERFL

量産中24-VBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NOR
アクセス時間96 ns
ベース品番S26KS512
メーカーCypress Semiconductor Corp
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズHyperFlash™ KS

電気特性

メモリ容量512Mbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
クロック周波数133 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization64M x 8

機械特性

パッケージTray
Package / Case24-VBGA
サプライヤーデバイスパッケージ24-FBGA (6x8)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)