CY7C199-35SI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C199-35SI

メモリ・ストレージ

IC SRAM 256KBIT PARALLEL

量産中Bulkメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
アクセス時間35 ns
ベース品番CY7C199
メーカーCypress Semiconductor Corp
Product StatusActive
書き込みサイクル時間35ns

電気特性

メモリ容量256Kbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧4.5V ~ 5.5V
Memory Organization32K x 8

機械特性

パッケージBulk

環境条件

動作温度-40°C~85°C(TA)