CY14B104LA-ZS25XI

Cypress Semiconductor Corp

CY14B104LA-ZS25XI

データシート

メモリ・ストレージ

NON-VOLATILE SRAM, 512KX8, 25NS

量産中44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
アクセス時間25 ns
ベース品番CY14B104
メーカーCypress Semiconductor Corp
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間25ns

電気特性

メモリ容量4Mbit
メモリ形式NVSRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧2.7V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 8

機械特性

パッケージTray
Package / Case44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ44-TSOP II

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)