一般
| メモリタイプ | Volatile |
|---|---|
| 技術 | SRAM - Asynchronous |
| アクセス時間 | 7 ns |
| ベース品番 | CY10E422 |
| メーカー | Cypress Semiconductor Corp |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 書き込みサイクル時間 | 7ns |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| メモリ容量 | 1Kbit |
|---|---|
| メモリ形式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 電源電圧 | 4.94V ~ 5.46V |
| Memory Organization | 256 x 4 |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 24-CDIP (0.400", 10.16mm) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 24-SBDIP |
環境条件
| 動作温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|