一般
| ベース品番 | CDBGBSC20650 |
|---|---|
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| メーカー | Comchip Technology |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Tube |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 33A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
機械特性
| Package / Case | TO-247-3 |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247 |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|