AS1M080120P

Name: AS1M080120P
Brand: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

アナログ・電源

N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER

量産中TO-247-3アナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	98mOhm @ 20A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1475 pF @ 1000 V
メーカー	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
実装タイプ	Through Hole
梱包	Tube
製品ステータス	量産中
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 5mA

ドレイン-ソース間電圧	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	36A (Tc)
最大消費電力	192W (Tc)

Package / Case	TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-247-3

動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)