DS1250Y-100IND+

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1250Y-100IND+

データシート

メモリ・ストレージ

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

量産中32-DIP Module (0.600", 15.24mm)メモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
アクセス時間100 ns
ベース品番DS1250Y
メーカーAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
書き込みサイクル時間100ns

電気特性

メモリ容量4Mbit
メモリ形式NVSRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧4.5V ~ 5.5V
Memory Organization512K x 8

機械特性

パッケージTube
Package / Case32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
サプライヤーデバイスパッケージ32-EDIP

環境条件

動作温度-40°C~85°C(TA)