YJL05N04A

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

YJL05N04A

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds417 pF @ 10 V
HerstellerYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Max. Verlustleistung1.2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)