2N7002

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

2N7002

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 300mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds27.5 pF @ 30 V
HerstellerYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C340mA (Ta)
Max. Verlustleistung350mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)