XP6P250N

YAGEO XSEMI

XP6P250N

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 1.6A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds720 pF @ 25 V
HerstellerYAGEO XSEMI
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieXP6P250N
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
Max. Verlustleistung1.25W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)